臺積電2nm工藝研發進展超預期,或將采用GAA技術
作者 :正文注明 2020-09-22 16:27:01 圍觀 : 次 評論
眾所周知,臺積電目前已經可以生產5nm工藝制程的芯片,并且正在研發3nm和2nm工藝,而今日有媒體報道稱臺積電2nm工藝研發進展超預期,或將采用GAA(采用環繞柵極晶體管)技術,具體情況如何快和Xda小編一起看看吧。

來自Digitimes的最新報道稱,臺積電2nm GAA工藝研發進度提前,目前已經結束了路徑探索階段。
GAA即環繞柵極晶體管,旨在取代走到盡頭的FinFET(鰭式場效應晶體管)。FinFET由華人科學家胡正明團隊研制,首發于45nm,目前已經推進到5nm。不過,據說臺積電的3nm依然延續FinFET,但三星則會提前于3nm導入GAA技術。

同多次提及的3nm工藝相比,臺積電目前并未公布太多2nm工藝的消息,在此前的報道中,媒體提及的與臺積電2nm工藝相關的信息,出現過兩次,均是在8月底。其一是臺積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產工廠,將建在總部所在的新竹科學園區,臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛,透露他們已經獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺積電2020年度全球技術論壇上,他們透露正在同一家主要客戶緊密合作,加快2nm工藝的研發進展,相關的投資也在推進。
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