中芯國際7nm取得突破,首款芯片成功流片
作者 :正文注明 2020-10-12 17:27:01 圍觀 : 次 評論
根據目前的報道,中芯國際成功完成N+1工藝的芯片流片,這意味著其在7nm制程工藝上取得突破。其中所有IP全自主國產,功能一次測試通過,這個結果相當的出乎意料,因為沒有想到可以那么快拿出7nm工藝,這讓國產芯片制造正式進入先進工藝。

根據之前的數據表示,N+1工藝和現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。其在功耗、穩定性上跟7nm工藝很相似,不需要光刻機,但是在性能方面要低一點,所以它主要面向低功耗應用,預計在后期將會有N+2,它將會面向更高性能,真正的媲美7nm。
根據專家的介紹,成功“流片”表示已經在實驗室得到性能達到指標的器件,但是實現真正量產,還需要在器件可靠性、退化機制等方面得到大量的數據支持和反復檢驗。

等到中芯國際7nm量產后,臺積電、三星將會流失大量國內訂,同時國內也在緊急布局芯片制造,全產業半導體國產供應鏈在快速型成。雖然自主研發的技術相對比國際一流水平還有一定的差距,但是已經可以在重要的領域實現自給自足,不會被其他國家限制,同時國內也在加快第三代半導體技術的研發工作。

中芯國際在之前遭受到美國出口限制,同時美國設備、配件、原物料會受到美國的進一步限制,需要申請出口許可證后才能繼續供貨。再這樣的大背景下,中芯國際7nm獲得突破的意義非凡。
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