臺(tái)積電危險(xiǎn)了?日經(jīng):中國(guó)晶片實(shí)力僅落后3年
美國(guó)對(duì)中國(guó)華為實(shí)施出口禁令已經(jīng)5年,成效如何難以評(píng)估,不過日媒引述業(yè)界人士報(bào)導(dǎo),從電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)觀察,中國(guó)晶片實(shí)力僅落后臺(tái)積電3年。

每年拆解上百種電子產(chǎn)品的東京半導(dǎo)體調(diào)查企業(yè)TechanaLye社長(zhǎng)清水洋治表示,中國(guó)晶片實(shí)力已經(jīng)追到只落后臺(tái)積電3年。
清水用拆解「華為Pura 70 Pro」的晶片照與先前照片做對(duì)比,指臺(tái)積電2021年以5奈米量產(chǎn)的「KIRIN 9000」處理器,與今年中芯國(guó)際7奈米生產(chǎn)的「KIRIN 9010 」處理器,性能差距并不大。
報(bào)導(dǎo)指出,臺(tái)積電5奈米晶片面積107.8平方毫米,中芯7奈米則是118.4平方毫米,差異不大,處理性能基本上也相同。

根據(jù)報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電2021年量產(chǎn)的「KIRIN 9000」,是由華為旗下的海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì);2024年中芯量產(chǎn)的「KIRIN 9010」,也是由海思設(shè)計(jì),雖然7奈米與5奈米不同,不過性能卻差不多,可見海思的設(shè)計(jì)能力提升。

報(bào)導(dǎo)指出,雖然良率存在差距,不過從出貨的半導(dǎo)體晶片性能來看,中芯實(shí)力已追到只比臺(tái)積電落后3年。隨著晶片縮小的難度加大,臺(tái)積電想甩開中國(guó)會(huì)更加困難。

