半導體產(chǎn)業(yè)新格局！韓2大廠來臺演講三星破天荒與臺積電合作HBM

作者 :珍昕 2024-09-11 09:32:49 圍觀 : 次評論

今年半導體盛事SEMICON Taiwan 2024國際半導體展舉行諸多精彩論壇，而最受外界熱烈討論的，莫過于南韓兩大記憶體廠商三星電子記憶體業(yè)務(wù)總裁Jung-Bae Lee、SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）出席本次的大師論壇，這也是南韓半導體大廠首度來臺參與，展現(xiàn)了中國臺灣、南韓半導體產(chǎn)業(yè)將從過去的競爭態(tài)勢，同時走向合作的新模式。

Jung Bae Lee在大師論壇上發(fā)表演講，討論AI時代記憶體的未來，透過記憶體創(chuàng)新來展望未來。全球半導體市場在2017年超越5000億美元，AI更是加速了記憶體市場規(guī)模，到了2027年，將達到8000億美元。 Jung Bae Lee表示，AI時代面臨3大挑戰(zhàn)，包括功耗問題、記憶體頻寬的限制，以及記憶體儲存容量不足的問題。

Jung Bae Lee解釋，隨著生成式AI模型的出現(xiàn)，功耗顯著增加，一個具有100億參數(shù)的AI模型，每天需要消耗相當于250萬輛特斯拉電動車充電的能量；隨著每一代GPU的計算能力大幅提升，記憶體容量卻僅增加了幾個百分點，這造成了性能和記憶體容量之間的巨大差距；為了應(yīng)對生成式AI的需求，需要更大的記憶體容量和更高的性能，三星要求開發(fā)專門的AI設(shè)備記憶體解決方案。

Jung Bae Lee強調(diào)，三星準備好推出各種新產(chǎn)品，在推動高性能、低功耗產(chǎn)品的進一步發(fā)展，并研究新的記憶體架構(gòu)，與客戶和合作伙伴密切合作，以達成這些目標。三星提出的解決方案是，將邏輯晶片放到HBM底層，透過矽穿孔(TSV) 技術(shù)來打造，讓記憶體可以與晶圓代工廠更好的搭配，為了保持設(shè)計彈性，三星可以提供IP給客戶自行設(shè)計基礎(chǔ)裸晶（Base Die），或是與其他晶圓代工廠合作，將不僅限于三星。

Jung Bae Lee認為，記憶體在AI應(yīng)用至關(guān)重要，生態(tài)系的合作將成為關(guān)鍵，三星以成為解決方案的供應(yīng)商為目標，打算與生態(tài)系伙伴密切合作，創(chuàng)造良好競爭環(huán)境，為記憶體創(chuàng)新未來而努力。

至于SK海力士，Kim Ju-Seon指出，在AI、半導體引領(lǐng)市場潮流，但現(xiàn)在仍占全球GDP不到1%，僅有南韓、臺灣投入眾多資源于此，韓半導體產(chǎn)業(yè)占整體GDP超過15％，臺灣則是更高，Justin Kim呼吁中國臺灣與南韓的半導體產(chǎn)業(yè)要一起合作，才能解決科技發(fā)展面對的挑戰(zhàn)。

Kim Ju-Seon也表示，目前AI的能力處在已指令進行對話的階段，屬于第一級，最終將發(fā)展到第五級，也就是執(zhí)行復雜的組織任務(wù)，并以人類情感的模式進行交流，在此之前要先解決能源、散熱系統(tǒng)以及記憶體需求3大困境。

Kim Ju-Seon說明，直到2028年，所需要的能源為現(xiàn)在的2倍，不可能只靠再生能源滿足需求；散熱方面，SK海力士開發(fā)出高效能低功耗的高容量記憶體；面對記憶體需求增加，在各種生成式AI應(yīng)用的記憶體頻寬問題變得更重要。

Kim Ju-Seon 分享目前最新的HBM3E 技術(shù)，表示是最早生產(chǎn)8層HBM3E 的供應(yīng)商，并在月底開始大規(guī)模生產(chǎn)12層HBM3E。除了HBM3E 外，SＫ海力士也介紹在DIMM、企業(yè)級SSD（QLC eSSD）、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7 的最新產(chǎn)品。

Kim Ju-Seon也展現(xiàn)了SK海力士最新的HBM3E，從最早的8層HBM3E供應(yīng)商，到月底將開始大量生產(chǎn)12層HBM3E，此外，SK海力士也展現(xiàn)了DIMM產(chǎn)品，采用TSV技術(shù)生產(chǎn)256GB產(chǎn)品，并同步開發(fā)512GB版本，以及包括企業(yè)級SSD、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7等新品。

這次大師論壇的亮點，就是三星松口不會只限于自家的晶圓代工廠合作，被外界解釋為可能會與臺積電加深合作的契機。由于三星、臺積電在先進制程領(lǐng)域持續(xù)競爭，過去也曾出現(xiàn)過臺積電的研發(fā)大將跳槽到三星，協(xié)助三星的晶圓代工技術(shù)大幅提升，臺韓半導體產(chǎn)業(yè)競爭情節(jié)一直被外界所熱議，但隨著SK海力士率先與臺積電在4月簽署共同開發(fā)HBM4技術(shù)，預計2026年量產(chǎn)，為了提高效能，SK海力士當時聲明表示，雙方將在HBM底層的Base Die進行合作，同時采用臺積電CoWoS先進封裝技術(shù)，SK集團會長崔泰源也在6月拜訪臺積電董事長魏哲家，對外展現(xiàn)合作的決心。

反觀三星，雖然數(shù)度傳出三星的HBM3E通過輝達驗證，但都遭到三星親自澄清否認，但是市場評估，三星驗證通過只是遲早問題，但是要縮小與SK海力士、美光的競爭差距，韓媒《BusinessKorea》報導，臺積電生態(tài)系與聯(lián)盟管理主管Dan Kochpatcharin在5日宣布，臺積電與三星正在開發(fā)一款新的無緩沖的HBM4，主要是某些客戶更喜歡用臺積電制造的Base Die，隨著HBM4設(shè)計與生產(chǎn)更為復雜，三星為了擴展客戶來源，與臺積電結(jié)盟成為最佳選項，此外，臺積電在3DFabric聯(lián)盟當中，三星也是成員之ㄧ，顯見臺韓半導體廠商并非只有競爭關(guān)系，如今三星公開宣示，這也讓中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)走向了新的局面。

標簽記憶體積電南韓

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