臺積電推進3nm和4nm工藝,預計2022年量產
作者 :正文注明 2020-08-25 11:27:03 圍觀 : 次 評論
臺積電在近日確認,5nm、6nm已經進行量產,同時更加先進的3nm和4nm預計將在2022年量產,相比之前有了很大的提升。這到底是怎么回事?來這里好好的了解一下吧。

臺積電表示,3nm(N3)將在明年晚些時候風險試產,2022年投入大規模量產。相較于5nm,3nm將可以帶來25-0%的功耗減少、10-5%的性能提升,4nm(N4)同樣定于明年晚些時候風險試產,2022年量產。
臺積電則是堅守FinFET(鰭式場效應晶體管),三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA,環繞柵極晶體管),雖然使用的是不同的核心技術,但是整體效果并沒有多少差別存在,而三星方面計劃將在2021年就正式推出3nm,相比臺積電的2022年更加的激進。

3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。3nm沿用FinEFT技術,主要考量客戶在導入5nm制程的設計也能用在3nm制程中,無需面臨需要重新設計的問題,可以保持自身的成本競爭力,獲得更多的客戶訂單。4nm工藝將兼容5nm工藝的設計規則,較5nm工藝更有性價比優勢,瞄準的是下一波的5nm產品。

