臺積電2nm計(jì)劃官宣,已找到切入GAA路徑!
大家都知道臺積電在生產(chǎn)芯片上非常的優(yōu)秀,是其他芯片生產(chǎn)公司的一個(gè)強(qiáng)大對手,在前不久,臺積電剛剛宣布將會(huì)了現(xiàn)有的技術(shù)工藝進(jìn)展,而且臺積電正式的宣布了2nm計(jì)劃,包括已經(jīng)夠買了建設(shè)工廠的土地等,還宣布現(xiàn)在已經(jīng)找到了切入GAA路徑,來和小編一起了解更多的消息吧!

在日前的臺積電技術(shù)論壇上,臺積電除了公布5nm、4nm、3nm工藝進(jìn)展之外,還透露了關(guān)于2nm的布局。
臺積電宣布,公司已經(jīng)在新竹購買了土地,將建設(shè)工廠和新的研發(fā)中心,同時(shí)雇傭8000多名工程師投入,推動(dòng)2nm節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。
與此同時(shí),臺積電還表示2nm將使用GAA(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù),而不是3nm的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。消息稱臺積電使用的是圓形鰭柱,典型尺寸比現(xiàn)有工藝縮小30%。
臺積電方面稱,2nm芯片預(yù)計(jì)在2022年底進(jìn)入消費(fèi)終端,目前已成功找到切入GAA路徑。

相較于保守的臺積電,作為競爭對手三星似乎更為激進(jìn),此前就已宣布將在3nm節(jié)點(diǎn)上使用GAA技術(shù)(板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片),相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗,增加30%的性能,將于2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年大規(guī)模量產(chǎn)。而且有意思的是,三星公開宣布要到2030年超過臺積電,取代后者的代工地位。

從技術(shù)方面來看,GAA的制造和傳統(tǒng)FinFET有著相似之處,但前者技術(shù)要求更高,難度也更大,成本相應(yīng)提升,雖然各家對于GAA工藝的鰭片形狀不同,但本質(zhì)上基本一樣。
此外,網(wǎng)絡(luò)上一直存在節(jié)點(diǎn)的另一種說法,即2nm是制程工藝的終點(diǎn),其實(shí)從技術(shù)來看,目前芯片使用的是橫向納米線,僅適用于3nm和2nm,以下幾乎不可能實(shí)現(xiàn),所以才會(huì)存在這種說法,但要知道的是,半導(dǎo)體工藝現(xiàn)已演進(jìn)到了2nm,比它更強(qiáng)的難道不存在嗎?

