英特爾宣布成立集成光電研究中心
英特爾研究院近期成立了英特爾面向數據中心互連的集成光電研究中心。該中心的使命是加速光互連輸入/輸出（I/O）技術在性能擴展和集成方面的創新，專注于光電子技術和器件、CMOS 電路和鏈路架構，以及封裝集成和光纖耦合。
英特爾資深首席工程師、英特爾研究院 PHY 研究實驗室主任 James Jaussi 表示：“在英特爾研究院，我們堅信單一機構不能將所有必要的創新都成功轉化為研究現實。通過與全美國的一些頂尖科學家合作，英特爾正為面向下一代計算互連的集成光電發展打開大門。我們期待與這些科研人員密切合作，共同探索如何克服即將到來的性能障礙?！?span style="display:none">sLK曹操讀書網
隨著服務器間的數據移動不斷增加，對當下的網絡基礎架構能力提出了全新挑戰。行業正在迅速接近電氣 I/O 性能的實際極限。隨著需求的持續增長，電氣 I/O 的功耗性能調節無法保持同步增長，很快將限制用于計算運行的功率。這一性能障礙可以通過集成計算芯片和光互連 I/O 來克服，這也是英特爾集成光電研究中心的重點工作之一。
英特爾近期展示了集成光電關鍵構建模塊的技術進展。光的產生、放大、檢測、調制、CMOS 接口電路和封裝集成是實現所需的性能以取代電氣成為主要的高帶寬封裝外接口的關鍵。
此外，光互連 I/O 有望在可達性、帶寬密度、功耗和延遲等關鍵性能指標上顯著優于電氣 I/O。在多個前沿領域的進一步創新來同時提升光學性能、降低功率和成本也是必不可少的。
關于研究中心：英特爾面向數據中心互連的集成光電研究中心匯集了多所大學和世界知名的科研人員，共同加速光互連輸入/輸出（I/O）技術在性能擴展和集成方面的創新，其研究愿景是探索技術擴展的路徑，以滿足未來十年及之后對能效和帶寬性能的要求。
英特爾深知學術是技術創新的核心，并致力于促進全球領先學術機構的科研創新。集成光電研究中心的成立反映了英特爾致力于與學術界合作開發新的先進技術，從而進一步推動計算的發展。
參加該研究中心的科研人員包括：
- John Bowers，加州大學圣巴巴拉分校
研究項目：硅上異質集成量子點激光器
項目說明：加州大學圣巴巴拉分校的團隊將研究砷化銦（InAs）量子點激光器與傳統硅光子的集成問題。該項目的目標是闡明單頻和多波長光源的預期性能和設計參數。
- Pavan Kumar Hanumolu，伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校
研究項目：通過雙二進制信號和波特率時鐘恢復實現的低功耗光收發器。
項目說明：該項目將使用新型跨阻抗放大器和波特率時鐘和數據恢復架構來開發超低功耗、高靈敏度的光接收器。光收發模塊原型機將采用 22 納米 CMOS 工藝實現，展現出超高的抖動容限和出色的能效。
- Arka Majumdar，華盛頓大學
研究項目：用于高帶寬數據通信的非易失性可重構光交換網絡
項目說明：華盛頓大學的團隊將使用新興的硫族化合物相變材料研究低損耗、非易失性電氣可重構硅光子交換機。與現有的可調機制不同，開發出的交換機將保持其狀態，允許零靜態功耗消耗。
- Samuel Palermo，德克薩斯農工大學
研究項目：用于數據中心互連的 Sub-150fJ/b 光收發器
項目說明：該項目將為大規模并行、高密度和高容量光互連系統開發高能效的光收發器電路，其目標是通過在收發器中采用動態電壓頻率縮放、低擺幅電壓模式驅動器、具有緊密集成光電檢測器的超靈敏光接收器和低功率光器件調諧環路來提高能效。
- Alan Wang，俄勒岡州立大學
研究項目：由高遷移率透明導電氧化物驅動的 0.5V 硅微型環調制器
項目說明：該項目旨在通過硅 MOS 電容器與高遷移率 Ti:In2O3 之間的異構集成開發一種低驅動電壓、高帶寬的硅微型環諧振器調制器（MRM）。該器件有望克服光發射器的能效瓶頸，并且可能共同封裝在未來的光 I/O 系統中。
- Ming Wu，加州大學伯克利分校
研究項目：硅光子的晶圓級光學封裝
項目說明：加州大學伯克利分校的團隊將開發集成波導透鏡，該透鏡具有實現低損耗和高容差光纖陣列的非接觸式光學封裝的潛力。
- J. Ben Yoo，加州大學戴維斯分校
研究項目：無熱且節能的可擴展大容量硅光子收發器
項目說明：加州大學戴維斯分校的團隊將開發極度節能的無熱硅光子調制器和諧振光電檢測器光集成電路，150 fJ/b 能效和 16 Tb/s/mm I/O 密度下，其容量可擴展至 40 Tb/s。為實現這一目標，該團隊還將開發一種全新的 3D 封裝技術，用于垂直整合光子和電子集成電路，其互連密度為每平方毫米 10,000 個焊盤。
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