半導體研發再突破！1nn有了新進展
創頭條5月15日消息? ? 中國臺灣大學、臺積電與麻省理工學院（MIT）共同發表研究，首度提出利用「半金屬鉍」（Bi）作為二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，使其效能幾與硅一致，有助實現未來半導體1納米的挑戰。
這項研究已于《Nature》 期刊公開發表。
據了解，目前硅基半導體主流制程，已進展至五納米及三納米節點，芯片單位面積能容納的電晶體數目，也將逼近半導體主流材料「硅」的物理極限，芯片效能無法再逐年顯著提升。一直以來科學界對二維材料寄予厚望，卻苦于無法解決二維材料高電阻、及低電流等問題，以至于取代硅成為新興半導體材料一事，始終無進展。
此次由臺大、臺積電與麻省理工學院共同發表的研究，終于獲得突破性研究成果。
據悉，使用鉍為接觸電極的關鍵結構后，二維材料電晶體的效能不但與硅基半導體相當，又有潛力與目前主流的硅基制程技術相容，有助于未來突破摩爾定律的極限。
雖然目前還處于研究階段，但該成果能替下世代芯片提供省電、高速等絕佳條件，未來可望投入人工智能、電動車、疾病預測等新興科技的應用。
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